Um es kurz zu machen: Galliumnitrid (GaN) ist ein kristallähnliches Material, das höhere Spannungen leiten kann. Durch Komponenten aus GaN fließt der Strom schneller als durch Silizium, was zu schnelleren Verarbeitungsgeschwindigkeiten führt. GaN ist effizienter und daher entsteht weniger Wärme.
Aber es steckt noch ein bisschen mehr dahinter. Lesen Sie weiter, um die ganze Geschichte zu erfahren.
Warum sind GaN-Ladegeräte besser als herkömmliche Ladegeräte?
GaN-Komponenten leiten Elektronen effizienter als Silizium und können höheren elektrischen Feldern standhalten. Dies ermöglicht GaN-Geräten eine höhere Leistung und Geschwindigkeit und den Betrieb bei niedrigeren Temperaturen. Aus diesem Grund ersetzt GaN nach und nach Silizium beim Bau von Ladegeräten und anderer Elektronik.
Bei Ladegeräten wird Hitze im Allgemeinen dadurch verursacht, dass bestimmte Komponenten überlastet sind. Da GaN viel schneller und effizienter arbeitet, entsteht im Vergleich zu Geräten auf Siliziumbasis deutlich weniger Wärme.
Da weniger Wärme erzeugt wird, können die Komponenten näher zusammengebracht werden, um unsere Ladegeräte kleiner als je zuvor zu machen, ohne Einbußen bei Leistung oder Sicherheit.
Unsere Geschichte mit GaN
- 2018 – Anker beginnt mit der Nutzung der GaN-Technologie
Anker war der erste in der Branche, der die GaN-Technologie in Ladegeräten einsetzte. Unser erstes GaN-Ladegerät, PowerPort III Atom PD, wurde im Oktober 2018 veröffentlicht.
- 2019 – Anker Atom PD 1 erhält den CES 2019 Innovation Award
- 2021 – Anker beginnt mit der Nutzung der GaN II-Technologie
Was ist GaN II?
Verfügt über zusätzliche Schaltkreise, um die Effizienz zu steigern, die Wärme zu reduzieren und die Größe zu reduzieren.
Effizienter und mit 2-mal höherer Arbeitsfrequenz als die erste Generation von GaN.
- 2022 – Anker 736 Ladegerät (Nano II 100 W) erhält den CES 2022 Innovation Award
Unsere besten GaN-Ladegeräte
Anker 737 Ladegerät (GaNPrime, 120W)
Anker 735 Ladegerät (Nano II 65W)
Anker Prime Ladegerät (100W, 3 Ports, GaN)
Anker Nano Ladegerät (100W) mit USB-C Kabel
Anker 523 Ladegerät (Nano 3, 47W)
FAQ
Warum ist GaN besser als Si?
Galliumnitrid (GaN) ist für die Leistungselektronik besser als Silizium (Si), da es eine höhere Effizienz, schnelleres Laden und kleinere, leichtere Geräte ermöglicht. Die GaN Technologie bewältigt höhere Spannungen und Temperaturen, reduziert den Energieverlust und verbessert die Leistung, was sie ideal für moderne Ladegeräte und Stromversorgungssysteme macht.
Wo wird GaN verwendet?
GaN wird in Hochleistungselektronik verwendet, darunter schnelles GaN Ladegerät, Netzteile, Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und HF-Komponenten für 5G-Netzwerke. Seine Fähigkeit, hohe Spannungen zu bewältigen und seine Effizienz machen es ideal für kompakte und energieeffiziente Strom- und Kommunikationssysteme.
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